IBM - IBM переводит закон Гордона Мура в третье измерение

Новости it-компаний

Тактильная отдача в Apple Tablet: предполагаемые подробности

News image

Ажиотаж вокруг полумифического планшетника Apple разрастается прямо на глазах: по мнению инсайдеров, новый гаджет изрядно уд...

Марс проверит на прочность процессоры IBM Power

News image

Корпорация IBM объявила о том, что процессоры Power возвращаются в открытый космос – космическое агентство NA...

Авторизация



Развитие технологий:

Спецификации персонального компьютера

Под эгидой фирмы Intel, играющей ведущую роль на рынке микропроцессоров ежегодно проводится форум IDF (Intel Developers Forum), который определяет идеологию в ...

Компьютер PS/2

Накал конкурентной борьбы заставил разработчиков IBM на время отказаться от принципа открытой архитектуры . Новое семейство моделей ПК IBM по...


IBM переводит закон Гордона Мура в третье измерение
Компании - IBM

ibm переводит закон гордона мура в третье измерение

Корпорация IBM анонсировала передовую полупроводниковую технологию, использующую метод chip-stacking (монтаж в одном корпусе нескольких чипов друг над другом), которая открывает путь к широкому распространению производственного процесса трехмерной упаковки микросхем. Это революционное достижение будет, несомненно, способствовать «продлению жизни» и расширению сферы действия известного закона Мура, согласно которому число транзисторов в кристалле удваивается каждые 12-18 месяцев, вследствие чего соответствующим образом растет производительность процессоров. Новая технология, получившая название through-silicon vias («внутрикремниевые межсоединения»), позволяет выполнять сверхплотную упаковку компонентов микросхемы, что очень важно при создании быстродействующих компактных электронных систем с низким энергопотреблением.

Эта инновационная методика дает возможность перейти от двухмерных (2D) горизонтальных топологий чипов к трехмерной (3D) упаковке кристалла. Например, если ядра процессора и элементы памяти традиционно располагались рядом, «бок о бок» на кремниевой пластине, то теперь их можно компоновать друг над другом. В итоге формируется компактная многослойная структура полупроводниковых элементов, которая позволяет значительно уменьшить размеры корпуса микросхемы и повысить пропускную способность межсоединений функциональных компонентов чипа.

Новый технологический метод IBM устраняет необходимость в относительно длинных металлических проводниках, которые сегодня соединяют между собой 2D-чипы и их составные элементы, заменяя эти проводники т.н. внутрикремниевыми соединениями. Межсоединения through-silicon vias представляют собой вертикальные каналы, протравленные в кремниевой пластине и заполненные металлом. Такие внутрикремниевые соединения позволяют располагать на пластине несколько чипов по вертикали друг над другом и, в итоге, значительно увеличить объем данных, проходящий через эти чипы.

Благодаря новой технологии расстояние, которое необходимо преодолевать потокам данных в микросхеме, сокращается почти в 1000 раз. Кроме того, эта методика позволяет реализовать в 100 раз больше каналов связи для обмена данными по сравнению с 2D-чипами.

IBM уже начала применять методику внутрикремниевых межсоединений в своем технологическом процессе производства микросхем. Опытные образцы таких чипов появятся во второй половине 2007 г., а массовое производство чипов с использованием технологии through-silicon vias будет освоено в 2008 г. Как ожидается, свое первое широкое применение методика внутрикремниевых межсоединений найдет в микросхемах усилителей мощности базовых станций беспроводных сетей и сотовой телефонии. 3D-чипы планируется также использоваться в наборах микросхем высокопроизводительных серверов и суперкомпьютеров IBM, предназначенных для решения ресурсоемких вычислительных задач в области научных исследований и бизнеса.

Чипы, которые IBM выполнила по новой технологии внутрикремниевых межсоединений, уже появились, в частности, в электронных компонентах беспроводного коммуникационного оборудования, процессорах серии Power, чипах суперкомпьютера Blue Gene и модулях памяти с высокой пропускной способностью:

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ 3D-ТЕХНОЛОГИЯ ДЛЯ БЕСПРОВОДНОГО КОММУНИКАЦИОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ – IBM применяет технологию внутрикремниевых межсоединений для повышения (вплоть до 40%) выходной мощности беспроводных коммуникационных устройств, построенных на кремниево-германиевых полупроводниковых компонентах, что позволяет увеличить срок службы батарей питания. Технология through-silicon vias дает возможность отказаться от использования проводных соединений между чипами, менее эффективных для передачи сигналов.

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ 3D-ТЕХНОЛОГИЯ ДЛЯ СТАБИЛИЗАЦИИ ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ ПРОЦЕССОРОВ POWER – Одним из ограничений производительности микропроцессоров по мере роста количества ядер является необходимость обеспечения единых характеристик стабилизированного питания всех частей чипа. Технологиях through-silicon vias позволяет значительно снизить потери мощности на межсоединениях в результате уменьшения линейных размеров проводников цепей питания в кристалле, что дает возможность повысить быстродействие процессора при сокращении его энергопотребления до 20%.

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ 3D-ТЕХНОЛОГИЯ ДЛЯ ЧИПСЕТОВ СУПЕРКОМПЬЮТЕРА BLUE GENE И МОДУЛЕЙ ПАМЯТИ – Прогрессивная технология 3D chip-stacking позволяет размещать высокопроизводительные чипы друг над другом, т.е. реализовать, например, архитектуры «процессор-на-процессоре» или «память-на-процессоре». IBM развивает эту инновационную методику, постепенно заменяя традиционные микросхемы, используемые в компонентах IBM Blue Gene, самого быстрого на сегодняшний день суперкомпьютера в мире, на 3D-чипы. Кроме того, IBM применяет полупроводниковую 3D-технологию в целях кардинального изменения структуры электрических связей между микропроцессором и памятью, направленного на значительное увеличение быстродействия обмена данными между этими компонентами. В перспективе это позволит создавать суперкомпьютеры нового поколения. IBM уже выпустила соответствующий прототип статической памяти SRAM на своей 300 мм производственной линии с использованием 65-нм технологического процесса.

 


Читайте:


Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

История компьютера в лицах. Сеймур Крей

News image

Сеймур Крей, создатель первого в мире суперкомпьютера, родился в городке Chippewa Falls, штат Висконсин, в 1925 году. Семья Креев имеет ан...

Творцы улыбок

News image

Мне часто приходит на ум, что надо придумать какой-нибудь типографический знак, обозначающий улыбку, - какую-нибудь закорючку, или упавшую навзничь скобку, ко...

Жесткие диски для ноутбуков становятся тоньше

News image

На данный момент жесткие диски для ноутбуков могут быть толщиной 9,5 мм и 12,5 мм. Первые получили наибольшее распространение, а об...

Financial Times обещает iTablet уже в следующем месяце

News image

Конец декабря редакция Financial Times решила скрасить очередной порцией слухов о планшетнике Apple. По данным издания, это устройство, покорившее заголовки СМ...

MacBU подытоживает две тысячи девятый год

News image

Как прошел 2009 год в компании, которую традиционно принято считать вторым крупнейшим разработчиков ПО для платформы Apple Macintosh? В Microsoft Ma...

Планшетный Мак покажут 26 января?

News image

За несколько дней до начала нового 2010 года онлайн-пресса разразилась новым потоком слухов на тему планшетного компьютера Apple: сначала хорошо ос...

VESA официально утвердила стандарт mini DisplayPort

News image

Презентованный Apple осенью 2008-го новый видеоинтерфейс mini DisplayPort (сокращенно mDP) вызвал неоднозначную реакцию, отголоски которой оставались различимыми вплоть до вчерашнего дн...

Внедрение 6-ядерных процессоров Intel Xeon может потребовать

News image

Изданию Fudzilla стали известны подробности по первому 6-ядерному процессору Intel Xeon. Он получит обозначение Core i7 980X, а его несущая тактовая ча...