|
Компании -
IBM
|
|
IBM проводит исследования в области 3D-чипов в своем научном центре им. Т. Дж. Уотсона (IBM T.J. Watson Research Center) вот уже течение более 10 лет. Сегодня эта работа продолжается и в других исследовательских лабораториях IBM по всему миру. Проводимые IBM разработки методик и инструментальных средств для «трехмерных» микросхем, направленные на повышение производительности электронного оборудования и расширение сфер применения чипов нового поколения, поддерживаются Управлением перспективного планирования оборонных научно-исследовательских работ США ( Defense Advanced Research Projects Agency, DARPA).
НЕДАВНИЕ ДОСТИЖЕНИЯ IBM В ОБЛАСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
Анонсированная сегодня инновационная методика является пятым по счету достижением в ряду значимых новаций IBM в области полупроводниковых технологий за последние пять месяцев, которые способны расширить сферу действия закона Гордона Мура.
Так, в декабре 2006 г. IBM представила первые чипы, выполненные на базе 45-нм производственного процесса с применением технологий иммерсионной литографии и диэлектриков со сверхнизкой диэлектрической постоянной.
В январе 2007 г. IBM анонсировала технологию high-k/metal-gate («изолирующий слой с высокой диэлектрической проницаемостью/металлический затвор»), предусматривающую применение нового материала для важнейшего компонента полупроводниковой микросхемы – изолирующего слоя в затворе полевого транзистора. Материал, который заменит традиционный диоксид кремния при изготовлении электрода затвора, обладает великолепными изолирующими свойствами и обеспечивает хороший показатель емкостного сопротивления между затвором и каналом. Оба этих свойства позволяют уменьшить размеры и увеличить скорость срабатывания транзистора, что ведет к улучшению эксплуатационных характеристик чипов, применяемых в компьютерах и других электронных системах.
В феврале 2007 г. IBM представила первую в своем роде технологию «внутрикристалльной памяти» (on-chip memory), которая демонстрирует наилучшие показатели времени доступа, когда-либо зафиксированные для eDRAM (embedded Dynamic Random-Access Memory) – встроенной динамической памяти с произвольным доступом.
И, наконец, в марте IBM продемонстрировала набор микросхем (чипсет) прототипа оптического трансивера, который позволит передавать и принимать данные, по меньшей мере, в восемь раз быстрее, чем любые существующие сегодня оптические сетевые компоненты.
|
