IBM - IBM и Технологический институт штата Джорджия устанавливают мировой рекорд быстродействия для кремниевых чипов

Новости it-компаний

Направления прорыва Asus

News image

Пока шла «раскрутка» новой перспективной технологической стратегии, Acer Group ни на минуту не останавливала работы по...

В 2011 году появятся восьмиядерные процессоры от AMD

News image

Производитель процессоров - компания AMD, собирается выпустить к 2011 году процессоры с восемью ядрами. Ими ст...

Авторизация



Развитие технологий:

Компьютер PS/2

Накал конкурентной борьбы заставил разработчиков IBM на время отказаться от принципа открытой архитектуры . Новое семейство моделей ПК IBM по...

Корпорация INTEL

Сегодня (конец 2004 г.) корпорации Intel насчитывает 78 тыс. сотрудников в 294 отделениях в разных странах мира и входит в чи...



IBM и Технологический институт штата Джорджия устанавливают мировой рекорд быстродействия для кремниевых чипов
Компании - IBM

ibm и технологический институт штата джорджия устанавливают мировой рекорд быстродействия для кремниевых чипов

Корпорация IBM и Технологический институт штата Джорджия сегодня объявили о том, что их исследователи продемонстрировали первый в мире чип на основе кремния, способный функционировать на частотах более 500 ГГц (500 млрд. тактов в секунду). Для достижения этого результата чип был заморожен криогенным способом до температуры 4,5 градусов Кельвина. Такие экстремально низкие температуры в природе встречаются только в открытом космосе, однако на Земле они могут быть получены искусственным путем с помощью материалов со сверхнизкой температурой, таких как жидкий гелий. (Абсолютный нуль или минимально возможная в природе температура составляет - 273,15 градуса по шкале Цельсия или 0 градусов по шкале Кельвина).

Для сравнения, 500 ГГц – это более чем в 250 раз больше, чем у современных сотовых телефонов, которые обычно работают на частоте 2 ГГц. Согласно результатам компьютерного моделирования, использованные в данном чипе кремний-германиевые технологии смогут в конечном итоге поддерживать еще более высокие рабочие частоты (около тысячи гигагерц) даже при комнатной температуре.

Описываемые эксперименты IBM и Технологического института штата Джорджия проводятся в рамках проекта по исследованию верхнего предела скорости кремний-германиевых устройств, которые работают быстрее при очень низких температурах. В данном исследовании использовались опытные образцы чипов, изготавливаемые корпорацией IBM по экспериментальной кремний-германиевой технологии четвертого поколения на базе полупроводниковой пластины размером 200 мм. При комнатной температуре эти чипы функционируют на частоте примерно 350 ГГц.

Кремний-германиевая технология производства полупроводниковых устройств основана на том, что электрические свойства кремния, базового материала для практически всех современных микрочипов, модифицируются добавлением германия, что позволяет повысить эффективность функционирования чипов. Кремний-германиевые полупроводниковые материалы обеспечивают создание чипов с более высокой производительностью и сниженным уровнем энергопотребления для современных сотовых телефонов и других коммуникационных устройств. В 1989 г. корпорация IBM представила первую в мире кремний-германиевую технологию, а в 1998 г. применила эту технологию в первых в отрасли стандартных кремний-германиевых чипах массового производства.

Потенциальными областями применения сверхвысокочастотных кремний-германиевых микросхем являются коммерческие коммуникационные системы, электронные устройства военного назначения, космическая техника и системы дистанционного зондирования. Достижение подобных экстремальных скоростей в полупроводниковых схемах на основе кремния – которые могут производиться с использованием обычных недорогих технологий – закладывает основу для создания устройств, производимых массовыми сериями. До настоящего времени подобного экстремального уровня производительности на уровне транзисторов достигали только интегральные схемы, производимые из более дорогих комбинированных полупроводниковых материалов III-V.

Углубление наших знаний о физических процессах в кремний-германиевых полупроводниках – и в конечном счете в создаваемых на их основе электронных схемах – позволит со временем создавать более совершенные полупроводниковые продукты.

Кремний-германиевые технологии традиционно привлекают пристальное внимание экспертов электронной отрасли, поскольку позволяют существенно улучшить характеристики транзисторов при использовании стандартных процессов массового производства на основе кремния. Введение германия в кремниевые пластины на атомном уровне позволят существенно улучшить характеристики полупроводникового материала, сохранив большинство преимуществ технологий на основе кремния.

 


Читайте:


Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

КОНРАД ЦУЗЕ. ПИОНЕР КОМПЬЮТЕРОСТРОЕНИЯ

News image

В Германии его называют изобретателем компьютера , с данным утверждением трудно не согласиться. Единственное, что я добавил бы к эт...

Дэвид Паккард, один из основателей компании Hewlett-Packard

News image

За свою легендарную полувековую карьеру Дэвид Паккард оказал огромное влияние на развитие современной электронной индустрии и методов управления. Сегодня Hewlett-Packard - ...

Жесткие диски для ноутбуков становятся тоньше

News image

На данный момент жесткие диски для ноутбуков могут быть толщиной 9,5 мм и 12,5 мм. Первые получили наибольшее распространение, а об...

MacBU подытоживает две тысячи девятый год

News image

Как прошел 2009 год в компании, которую традиционно принято считать вторым крупнейшим разработчиков ПО для платформы Apple Macintosh? В Microsoft Ma...

Financial Times обещает iTablet уже в следующем месяце

News image

Конец декабря редакция Financial Times решила скрасить очередной порцией слухов о планшетнике Apple. По данным издания, это устройство, покорившее заголовки СМ...

Внедрение 6-ядерных процессоров Intel Xeon может потребовать

News image

Изданию Fudzilla стали известны подробности по первому 6-ядерному процессору Intel Xeon. Он получит обозначение Core i7 980X, а его несущая тактовая ча...

VESA официально утвердила стандарт mini DisplayPort

News image

Презентованный Apple осенью 2008-го новый видеоинтерфейс mini DisplayPort (сокращенно mDP) вызвал неоднозначную реакцию, отголоски которой оставались различимыми вплоть до вчерашнего дн...

Планшетный Мак покажут 26 января?

News image

За несколько дней до начала нового 2010 года онлайн-пресса разразилась новым потоком слухов на тему планшетного компьютера Apple: сначала хорошо ос...